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“神农1号”的总指挥，是启明芯副总裁、深川研发中心兼庐州基地负责人孙振南。
这位早年留学德意志、拥有丰富大型项目管理经验的实干家，此刻正站在中央控制室巨大的玻璃幕墙前，眉头紧锁，眺望着下方那片灯火通明、却又危机四伏的超净厂房。
他知道，自己肩上的担子，重如泰山。
“坂本先生，”孙振南转过身，看向身边同样彻夜未眠、但眼神依旧锐利如鹰的坂本健一，声音带着一丝沙哑，
“NAND那边的最新一批测试晶圆，刚刚从蚀刻区出来，初步的电学参数扫描结果……依然不理想。
“深孔刻蚀的均匀性和垂直度控制，还是有很大的波动，导致存储单元的阈值电压离散度过大，坏块率居高不下。良率……良率还在30%以下徘徊。”
30%！这个数字，对于追求大规模量产和成本控制的存储芯片来说，简直是灾难性的！这意味着每生产三片晶圆，就有两片以上是废品！
其烧钱的速度，足以让任何一家公司都为之胆寒！
坂本健一苍老的脸上，看不出太多的情绪波动。
他只是默默地接过孙振南递过来的测试数据报告，戴上老花镜，逐行逐句地仔细审阅着。
他那双曾经见证了东瀛存储产业从辉煌到衰落的深邃眼眸中，此刻充满了对技术细节的极致专注。
“高深宽比刻蚀（HARC）的等离子体均匀性控制，以及刻蚀过程中聚合物副产物的清除，确实是目前最大的瓶颈。”
坂本健一沉吟片刻，指着报告上的几条异常曲线说道，“我们现有的这几台来自TEL的‘阉割版’刻蚀机，其等离子体源的稳定性和腔体环境的精确控制能力，相比他们供给三星的最新型号，至少差了一个代。
“想要在这样的设备上，稳定地刻蚀出128层以上、深宽比超过60:1的完美垂直通道，难度确实非常大。”
“我们已经尝试了所有能想到的工艺参数调整方案，”
一位负责NAND工艺的年轻工程师，脸上带着深深的疲惫和无奈，“调整气体配比、优化刻蚀功率和时间、改进清洗流程……但效果都非常有限。感觉就像……就像在用一把生锈的钝刀，去雕刻一件最精密的艺术品。”
悲观的情绪，如同无形的病毒，开始在团队中悄然蔓延。
就在这时，中央控制室的加密通讯终端突然响起。是来自香江总部的、林轩亲自召开的每日例行技术视频会议。
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