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调研小组首先聚焦磁芯存储器（当时主流存储技术），通过走访北京有线电厂、上海元件五厂（国内磁芯存储器主要生产厂家），收集技术参数与应用案例，重点分析五大特性。
存储容量与扩展性：当时国产磁芯存储器主流产品为 “4KB 磁芯体”，可通过多体拼接扩展容量 —— 北京有线电厂的 MC-1964 型磁芯存储器，采用 4 体拼接可实现 16KB 存储（单芯体 4KB，4×4KB），完全满足 “≥16KB” 需求，且最多可扩展至 64KB，预留后续程序升级空间。
环境适应性与稳定性：赵工团队在厂家实验室开展模拟测试：-40℃低温下，磁芯存储器数据保持时间≥72 小时（无需供电刷新）；50℃高温下，读写错误率≤0.001%；10-500Hz 震动测试后，磁芯体无物理损坏，数据完整性 100%，这源于磁芯（铁氧体材料）的物理稳定性，无半导体器件的温度敏感性问题。
读写速度与功耗：MC-1964 型磁芯存储器读写速度为 0.8μs / 次（单次数据读写耗时），优于 “≥1μs / 次” 的需求，可匹配 37 阶矩阵运算的速度；工作功耗约 15W（16KB 配置），低于边防哨所 “≤30W” 的单模块功耗限额，不会增加整体供电压力。
成本与供应链：1964 年国产磁芯存储器量产成熟，MC-1964 型 16KB 配置单价约 8000 元，且北京、上海两地厂家月产能合计达 500 套，供应链稳定（无需依赖进口）；此外，磁芯存储器寿命≥5 年（厂家测试数据），后续维护成本低，符合 “性价比最优” 原则。
三、半导体存储器的应用特性调研
调研小组同步调研半导体存储器（新兴技术），通过中科院计算所、清华大学半导体教研室（国内半导体存储研发前沿机构），了解当时技术进展，对比分析五大特性，发现多项实战适配短板。
存储容量与成熟度：1964 年国内半导体存储器仍处实验室研发阶段，仅能生产 “1KB 静态半导体存储芯片”（如清华大学研制的 SS-1964 型），且未实现量产 —— 要达到 16KB 存储，需 16 片 1KB 芯片拼接，不仅电路复杂度高（需额外设计地址译码电路），且芯片良率仅 30%（导致实际成本飙升），难以满足稳定供货需求。
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